电路的直流传输特性（DC transfer characteristics）描述了其输出电压 $V_{out}$ 与输入电压 $V_{in}$ 间的稳态对应关系。
静态 CMOS 反相器直流特性
考虑一个 CMOS 反相器，令其 pMOS 晶体管宽度是 nMOS 的 2 - 3 倍以使 $\beta_{n}=\beta_{p}$，并假设两者阈值电压（绝对值）一致 $V_{tp}=-V_{tn}$。
对于 nMOS，$V_{in}=V_{gsn}, V_{out}=V_{dsn}$，电流由漏流向源所以 $I_{dsn}>0$，阈值电压 $V_{tn}>0$。
pMOS 则因为源极 s 连接 VDD，所以有 $V_{in}=V_{gsp}+V_{DD}, V_{out}=V_{dsp}+V_{DD}$，电流由源流向漏所以 $I_{dsp}<0$，阈值电压 $V_{tp}<0$。
分别对 nMOS 与 pMOS 作 IV 特性图，栅压绝对值对应：$V_{gsp:x}=-V_{gsn:x}$
因之前的假设，nMOS 和 pMOS 的器件参数一致，所以曲线完全对称。接下来，取 $I_{dsp}$ 的绝对值（按 $x$ 轴翻转），将 $x$ 轴改成 $V_{out}$（nMOS 曲线不变，pMOS 曲线右移 $V_{DD}$），再把栅压 tag 改成 $V_{in}$（nMOS tag 不变，pMOS tag 增加 $V_{DD}$），就得到：
注意这里 $V_{in0}$ 对应的是 GND，$V_{in5}$ 对应的是 VDD。根据基尔霍夫电流定律 KCL，电路最终必须稳定在 $I_{dsn}=|I_{dsp}|$ 的点。连接相同 $V_{in}$ 下的交点，画 $V_{in}$-$V_{out}$ 图：
这就是反向器的直流特性图了。从中可以很明显见出 nMOS 与 pMOS 所在的不同区域：
- A 区：nMOS 关断，pMOS 线性
- B 区：nMOS 饱和，pMOS 线性
- C 区：nMOS 饱和，pMOS 饱和（理想晶体管此时有 $V_{in}=V_{out}=V_{DD}/2$，斜率无限大）
- D 区：nMOS 线性，pMOS 饱和
- E 区：nMOS 线性，pMOS 关断
配合反相器的 RC 模型食用更佳。$V_{in}$ 决定开关的「打开程度」，$V_{out}$ 是稳态的输出电压。